铁电AlScN薄膜

高剩余极化

在硅衬底上实现高剩余极化的铁电AlScN薄膜,兼具出色耐疲劳与数据保持特性。

Wenxin, Sun · 周久人 · Liu, Ning · Zheng, Siying · Xiaoxi, Li · Li, Bochang · 刘艳 · Yue, Hao · 韩根全

IEEE Electron Device Letters 2024

具体参数

剩余极化
124.5 μC/cm²
cycles under V
100 kHz stress
秒时
2 Pr
击穿电压与矫顽电压比约
112 %