铒基卤化物纳米晶

1540 nm圆偏振与高效率兼得

通过锑/钇共掺杂与樟脑配体修饰,首次在铒基卤化物LED中同时实现高效1540 nm电致发光与显著圆偏振,为光通信波段C带提供可集成的圆偏振光源。

Ruixin, Song · 周东磊 · 王玉奇 · Shangwei, Zhou · Wang, Enhui · 李薇 · 周婷婷 · 白雪 · 宋宏伟

Advanced Materials 2026

具体参数

光致发光量子产率
{'zh': '35.7', 'en': '35.7'} %
外量子效率
{'zh': '3.06', 'en': '3.06'} %
圆偏振不对称因子(光致发光)
{'zh': '-3.67', 'en': '-3.67'} ×10⁻²
圆偏振不对称因子(电致发光)
{'zh': '-3.08', 'en': '-3.08'} ×10⁻²

技术优势

量子产率翻倍

樟脑配体交换钝化了Er3+相关缺陷,把1540 nm光致发光量子产率提升到35.7%。

电致发光带圆偏振

基于樟脑修饰纳米晶的LED首次实现电驱动1540 nm圆偏振发射,不对称因子-3.08×10⁻²。

效率创纪录

这种纳米晶LED在1540 nm处外量子效率达到3.06%,是目前该波段的纪录值。

应用场景