SiC MOSFET负反馈驱动

抑制寄生振荡

一种基于负反馈的主动门极驱动策略，在保持SiC MOSFET高速开关的同时有效抑制并联应用中的串扰寄生振荡。

Tiancong, Shao · Yuhan, Sun · Zhitong, Bai · Zheng, Thrillion Q. · 张雅静 · Jia, Pengyu

Electronics (Switzerland) 2025

参数信息

dv/dt

20 V/ns

功率等级

8 kW

技术优势

振荡压得住

负反馈主动门极驱动在并联 SiC MOSFET 中有效抑制 MHz 级串扰寄生振荡，降低栅氧化层电压应力，延长器件寿命。

不用牺牲速度

该策略在保持高开关速度的同时实现稳定的栅极电压，充分利用 SiC MOSFET 超过 20 V/ns 的高 dv/dt 能力，推动功率变换系统小型化。

整机验证过

在 8 kW 同步降压变换器原型上验证了 NFAGD 在系统级应用中抑制串扰振荡的性能，证明方案在真实功率变换器中可行。

应用场景

• 功率变换器：在功率变换器中抑制串扰振荡，提高开关速度与可靠性。
• 电机驱动：为电机驱动提供高速稳定的栅极驱动，减少电磁干扰。
• 电动汽车电驱：在电动汽车电驱中利用高 dv/dt 提升功率密度，减小系统体积。