MoS₂挠曲电场效应晶体管

弯曲调控载流子迁移率

用弯曲引入挠曲电效应来调控晶体管,摆脱了传统压电传感器对压力的依赖,更适合关节弯曲等生理动作。

Yuxin, Zuo · 于影 · 75713599 · 75713600 · Zhang, Yaya · 左春柽 · 75826861 · Yang, Yang

Applied Physics Letters 2025

参数信息

载流子迁移率
49.63 cm²/V·s
迁移率提升倍数
10.6

技术优势

弯曲即可调控

无需施加外部压力,弯曲形变即可通过挠曲电效应产生响应电压,改变肖特基势垒,从而调控晶体管性能。

迁移率提升10倍

结合传统栅压与挠曲电效应,载流子迁移率达到49.63 cm²/V·s,为单独栅压时的10.6倍。

更贴合关节运动

器件响应弯曲形变而非压力,与肘、膝等关节的自然运动形式一致,适合可穿戴生理信号监测。

应用场景