交联共轭界面层

抑相分离减损失

一种基于HNA自组装的交联共轭界面层,通过氢键与π-π作用钝化缺陷并加速电荷输运,显著改善宽带隙钙钛矿界面。

Jianwei, Chen · Lin, Zhuojia · Hongyu, Min · Fan, Kezhou · Honggang, Chen · Zou, Shibing · Yitong, Xu · Wu, Xiao · 殷鹏刚 · 陈海宁 · Lin, Guo · 路新慧 · Man, Yu Lam · Sergeev A., Aleksandr · Wong, Kam Sing · 严克友

Advanced Energy Materials 2025

具体参数

开路电压(宽带隙单结)
{'zh': '1.35', 'en': '1.35'} V
效率(宽带隙单结)
{'zh': '19.92', 'en': '19.92'} %
T80寿命(宽带隙单结)
{'zh': '1100', 'en': '1100'} h
开路电压(全钙钛矿叠层)
{'zh': '2.13', 'en': '2.13'} V
效率(全钙钛矿叠层)
{'zh': '28.25', 'en': '28.25'} %
T80寿命(全钙钛矿叠层)
{'zh': '500', 'en': '500'} h

技术优势

抑制卤化物相分离

HNA的交联网络限制离子迁移,从而抑制卤化物相分离,提高器件稳定性。

加速电荷输运

强的π-π相互作用加速宽带隙钙钛矿/C60界面的电荷传输,有效抑制非辐射复合。

缺陷钝化增强

HNA的独特分子构象促进致密交联膜的形成,显著增强钝化效果,降低准费米能级分裂损失。

应用场景