片上ESD保护电路

提出基于0.25 μm工艺的TCAD电路模型,仿真与TLP实验损伤位置和类型一致,可用于ESD鲁棒性预测。

Li, Fuxing · 柴常春 · Liu, Yuqian · Song, Yanxing · 王雷 · 杨银堂

Micromachines 2023

技术优势

仿真能预测损伤

建立的TCAD电路模型仿真得到的二极管损伤位置和类型与TLP注入实验结果一致,可用于预测ESD鲁棒性和软损伤分析。

能看清内部机理

通过电热耦合瞬态仿真,可以获得电路输入输出节点的电信号以及器件内部电热参数的分布,从而解释TLP注入过程中的干扰和损伤物理现象与机理。

应用场景