p-GaN/AlGaN/GaN温度传感器

灵敏度19.7 mV/°C

由2DEG电阻与PiN二极管串联构成，利用两者相反的温度依赖实现电压重分配，在25–300 °C范围内达到19.7 mV/°C的最高灵敏度。

Jie, Chang · Yulian, Yin · Jiahong, Du · Wang, Huan · Haoran, Li · Changhui, Zhao · 李会 · Cungang, Hu · Cao, Wenping · Tang, Xi · 杨树

IEEE Electron Device Letters 2023

具体参数

温度范围内灵敏度

{'zh': '19.7', 'en': ''} mV/°C

工作电压

{'zh': '10', 'en': ''} V

技术优势

制造工艺与HEMT完全兼容