抗辐射MOSFET复合涂层

阈值漂移降至0.41V

利用Al2O3诱导的Bi-GdF3异质界面捕获电子，使MOSFET在辐射下保持稳定。

Tianyu, Zhang · Hong, Yang · Jingyang, Li · 李洋 · Zhao, Huiyang · Kai, Cui · Wei, Wenjing · 康红军 · 吴金珠 · 秦伟 · 吴晓宏

Composites Science and Technology 2024

参数信息

阈值电压漂移

0.41 V

技术优势

阈值漂移降至0.41 V

通过Al2O3中间层调控电子俘获，辐照后封装MOSFET的阈值电压负向漂移仅为0.41 V，远低于未防护器件的7.89 V。

无需改动器件设计

涂层直接涂覆在MOSFET封装表面即可，无需改变器件结构或制造工艺。

界面工程策略明确

超薄Al2O3层有效调控电子密度与分布，实现有效电子衰减，从而提升抗辐射性能。

应用场景

• 航天电子器件：用于卫星等航天器的电子系统，防止辐射导致的器件失效。
• 功率MOSFET：提升功率MOSFET在辐射环境下的可靠性，保障电源管理稳定。
• 航空电子系统：用于机载电子设备，应对高空宇宙射线辐射。
• 半导体器件抗辐射加固：提供一种通过涂层实现的半导体抗辐射加固方法。