二维铁电In₂Se₃

相变调控界面热阻

利用二维铁电体In₂Se₃的相变在65 K附近显著改变界面热阻，为数据存储热管理提供新思路。

郭辉 · 俞扬 · Li, Meilin · Yingqi, Wang · 奚啸翔 · 刘晨晗 · 张力发 · 赵云山

Small 2025

技术优势

65 K附近电阻变化两个数量级

65 K附近界面热阻显著变化

500 K附近界面热阻无显著变化