高纯度TiO₂基BF–BT无铅压电陶瓷

d₃₃ 达 220 pC/N

通过调控TiO₂纯度，实现了优异的铁电与压电性能，优于高纯度原料制备的漏电陶瓷。

Xiaoxin, Chen · Hailan, Qin · Hongtian, Li · Yuxiao, Du · Shenghao, Wang · 李培峰 · 胡永明 · 刘来君 · Zhao, Jianwei · Wang, Dawei

Journal of the American Ceramic Society 2024

具体参数

压电常数 d₃₃
{'zh': '220', 'en': '220'} pC/N
逆压电系数 d₃₃*
{'zh': '230', 'en': '230'} pm/V

技术优势

低成本原料即可高性能

使用纯度仅 98% 的低成本 TiO₂，陶瓷的压电系数 d₃₃ 达到 220 pC/N，高于使用 99.99% 纯度 TiO₂ 的泄漏样品。

工艺兼容传统固相法

采用传统固相合成法，无需特殊设备或复杂工艺，易于放大生产。

漏电问题可被克服

高纯度 TiO₂ 导致的严重漏电可通过添加过量 TiO₂ 解决，为使用高纯度原料提供了工艺弥补路径。

应用场景