Sn:Ga2O3紫外探测器

暗电流10 pA

一种基于Sn掺杂Ga2O3薄膜的深紫外探测器，通过引入杂质能级和多载流子输运机制，显著提升了光增益和信噪比性能。

Yao, Suhao · 刘增 · Zhang, Maolin · Lin-Cong, Shu · Zhao-Ying, Xi · Li, Lei · Yan, Sihan · Guo, Yufeng · 唐为华

ACS Applied Electronic Materials 2023

参数信息

暗电流

10 pA

光电流

2.96 μA

光暗电流比

2.96 × 10⁵

外量子效率

245.79 %

光响应度

0.72 A/W

技术优势

暗电流降到10 pA

在-6 V下暗电流仅为10 pA，有效降低噪声，提升信噪比。

光暗电流比近六个数量级

光暗电流比达2.96×10⁵，使微弱光信号也能被清晰分辨。

光增益超过100%

多载流子输运和杂质能级跃迁共同作用，使光增益大于100%，显著提高响应度。

应用场景

• 深紫外探测：替代传统紫外探测器，实现更低噪声的深紫外信号探测。
• 紫外线传感：用高光暗电流比提升弱紫外光传感灵敏度。
• 光电探测器：作为高性能光电探测器核心，用于精密光测量。
• UV-C光通信：在日盲紫外通信中实现高信噪比信号接收。