p-GaN栅HEMT

硬开关下阈值漂移可测

该晶体管在降压变换器硬开关工况下阈值电压漂移（最高+0.83 V）及其对电路功耗的具体影响被定量表征，而非仅报告性能参数。

Kaidi, Wang · Shuting, Huang · Qi, Xiong · Qihang, Huang · Han, Liu · Yunya, Zhang · Chen, Kuangli · Enchuan, Duan · 明鑫 · 张波 · 周琦

2024

参数信息

阈值电压漂移
+0.83 V
死区时间功耗增加
35.35 %
GaN HEMT总功耗增加
11.6 %

技术优势

功耗影响已定量

给出死区时间和器件总功耗随阈值漂移的定量增量，为效率优化提供依据。

揭示硬开关机理

结合双脉冲测试和应力测试，证明硬开关瞬态是导致Vth不稳定的关键因素，为可靠性改进指明方向。

应用场景