二维铁磁金属磁光存储阵列

零场可写，万次擦写

基于二维Fe3GeTe2的自旋轨道矩驱动一体化存储阵列，无需重金属辅助，实现三比特非易失存储与零场易失切换，为全范德华自旋逻辑与SOT-MRAM提供可扩展方案。

Hao, Qinghua · Cai, Menghao · 戴宏伟 · Xing, Yuntong · Chen, Hongjing · Aoyu, Zhang · 韩俊波

ACS Applied Materials & Interfaces 2024

具体参数

存储容量

{'zh': '3', 'en': '3'} bits

技术优势

无需重金属层

器件由单个FGT薄片构成，省去了传统SOT器件中的重金属辅助层，简化了结构并降低电流密度。

支持反复擦写

存储阵列可重复进行“写入”和“读取”操作，实现非易失性存储。

零磁场易失性切换

FGT纳米片在零磁场下显示出电流控制的易失性切换行为，可用于特定存储或逻辑功能。

应用场景

• SOT-MRAM：提供无需重金属辅助的SOT-MRAM解决方案，简化器件结构并降低电流密度。
• 非易失性存储：实现三比特非易失性存储阵列，可反复擦写，适用于高密度数据存储。
• 自旋电子学：利用二维材料中的自旋轨道矩进行电流驱动磁化翻转，验证自旋电子学新原理。
• 二维材料器件：基于Fe3GeTe2薄片构建全范德华器件，为二维材料在自旋器件中的应用提供范例。