TC4掺杂镁基储氢材料

脱氢温度骤降110 K

利用TC4与镁基体形成的强界面键合和过渡扩散界面,显著降低吸放氢活化能并加速反应动力学。

Bin, Li · Xuhao, Peng · Kun, Yang · Qianfeng, Liao · 魏国兵 · 刘俊伟 · 杨艳 · 陈玉安 · 潘复生

Chemical Engineering Journal 2024

参数信息

起始放氢温度
449 K
形核活化能/生长活化能比值
4

技术优势

脱氢温度降低110 K

TC4使AZ91在449 K开始放氢,比未掺杂时降低约110 K,储氢系统可在更低温度下运行。

快速扩散通道

TC4与Mg基体形成的过渡扩散界面具有低扩散势垒,可加速受H原子扩散控制的吸氢过程。

改变速率控制步骤

TC4及其诱导析出相促进Mg形核,使放氢过程从形核生长控制转变为表面渗透控制,显著提速。

应用场景