InGaN倾斜纳米线阵列

5°入射80.2%量子效率

通过在垂直纳米线基础上引入倾斜结构，该光电阴极在更大周期和倾角下实现更高量子效率，外加电场可延长高收集效率的波长范围。

Zhihao, Cao · 刘磊 · Tian, Jian · Zhangyang, Xingyue · Zhidong, Wang · 程宏昌 · Guo, Xin

ACS Applied Materials & Interfaces 2024

技术优势

5°入射光照射下，周期175 nm、倾角5.35°的倾斜纳米线量子效率高达80.2%

外加电场可提高倾斜纳米线的收集效率，并在更宽波长范围内保持高收集效率