ZT 5.3 高热电
该二维单层沿扶手椅方向的晶格热导率更低，p型ZT值随As比例增加而升高，最高达5.3，源于态密度尖锐峰和强声子散射。
Wen-Yang, Wang · 李艳丽 · 孙志刚
Surfaces and Interfaces 2025
p型GaAs₃单层沿扶手椅方向的热电优值ZT可达5.3，远高于许多已报道的二维热电材料。
随着As原子比例逐渐增加，ZT值也随之增大，为成分调控提供了明确方向。
在室温下，各组分单层沿扶手椅方向的晶格热导率均低于锯齿方向，有利于沿该方向的热电应用。
其优异热电性能归因于较大的功率因子和较低的晶格热导率：p型功率因子来自价带顶附近的态密度尖峰，低热导率源于强声子散射和低声子群速度。