晶须微球 SiCw/SiC

残余硅降至 5.2 vol%

通过喷雾造粒与CVI将SiC晶须制成可打印微球,构建分级结构,显著降低复合材料中残余硅含量,获得高强韧、高导热的近净成形陶瓷基复合材料。

Lv, Xinyuan · 高乐 · Cui, Xuefeng · Hubiao, Liu · 叶芳 · Liu, Haitao · 成来飞

Additive Manufacturing 2024

参数信息

弯曲强度
385 MPa
断裂韧性
5.93 MPa·m^1/2
残余硅含量
5.2 vol%
热导率
110.4 W/(m·K)
热膨胀系数
4.0–5.4×10^-6 K^-1
电阻率
7.09 Ω·cm

技术优势

残余硅含量低

分级结构和合理的液态硅渗入通道使残余硅降至5.2 vol%,减少游离硅对高温性能的不利影响。

力学性能全面提升

弯曲强度达385 MPa,断裂韧性达5.93 MPa·m1/2,满足热结构材料对承载和抗裂纹扩展的要求。

近净成形复杂形状

采用粘结剂喷射增材制造可直接打印复杂形状晶须预制体,结合反应熔渗实现无收缩致密化,减少后续加工。

热性能优异

热导率达110.4 W/(m·K),热膨胀系数低至4.0–5.4×10−6 K−1,有利于热结构件在温度变化下的尺寸稳定性和散热。

应用场景