CVD单层MoS₂

微位移响应百微米级

这种CVD生长的单层MoS₂具有压电性，用于微位移传感时，与现有压电材料相比提供了高灵敏度和宽禁带半导体特性，可柔性集成于PET基底。

黄家海 · Wu, Yizhang · 郝惠敏

Nanomaterials 2024

参数信息

压电响应电流

5.12 nA

响应灵敏度

1.154 µA/%

横向尺寸

50 µm

技术优势

微位移范围内高灵敏

在40–100 µm位移范围内，压电响应电流随应变呈近线性关系，灵敏度达1.154 µA/%。

可直接集成于柔性基底

通过湿法转移将三角形MoS₂转移至PET柔性基底，并采用无掩膜光刻和热蒸发技术制备器件，适用于柔性电子。

应用场景

• 微位移传感：用其压电输出感知微位移，替代传统电容或光学方案。
• 柔性压电器件：可集成到柔性基底，用于可穿戴或曲面器件。
• 压电能量收集：将机械应变转换为电信号，可用于微小振动能量收集。
• MEMS传感器：可与MEMS工艺结合，制作微型位移或压力传感器。