超声辅助高效加工
构建含SiC基体、游离硅及相界面的内聚区模型，揭示超声振动辅助切削中材料去除机理，为RB-SiC陶瓷高质量加工提供理论依据。
Jiang, Zhiwen · 陈东菊 · Chao, Gao · Kun, Sun · 潘日 · 范晋伟
Journal of the Brazilian Society of Mechanical Sciences and Engineering 2026
模型显式区分SiC基体、游离硅和相界面，可同时呈现塑性变形、孔洞-裂纹相互作用导致的粉化和以界面脱粘为主的脆性断裂三种去除模式。
裂纹优先在低韧性SiC基体内萌生，并倾向于沿相界面扩展，为抑制裂纹的工艺设计提供直接依据。
约40 kHz时切削力即被有效抑制，继续升高频率无明显额外收益，避免了盲目追求更高频率带来的能耗与设备负担。