金刚石热电互连

双面冷却

用多晶金刚石替代传统引线键合，同时实现电气连接和高效散热，为单面冷却SiC MOSFET提供增强的热电互连方案。

Zhang, Tongyu · Wang, Laili · Xin, Zhang · Jin, Zhang · Wang, Yan · Yang, Fengtao · 裴云庆 · 甘永梅

IEEE Transactions on Power Electronics 2025

参数信息

金刚石热导率

1000 W/m·K

技术优势

双面散热

利用芯片上下两个表面同时进行热传导，打破了传统引线键合只能单面散热的限制。

热导率极高

采用CVD多晶金刚石，热导率超过1000 W/m·K，远高于传统互连材料，能快速将热量从芯片导出。

集成电气与热管理

通过铜柱填充通孔和绝缘基板，在实现电气连接的同时兼顾高效散热，无需额外散热结构。

应用场景

• 电动汽车功率模块：提高电动汽车功率模块的散热能力，支持更高功率密度运行。
• 工业逆变器：工业逆变器中常用SiC MOSFET，该互连可降低结温，提高可靠性。
• SiC功率器件：专为SiC功率器件设计，解决其高热流密度下的散热瓶颈。