原子级均匀GeTe9薄膜

亚4ns开关速度

通过亚周期协同调控实现高Te含量硫系化合物的原子级均匀非晶薄膜，解决传统ALD的相分离难题，为3D存储提供高性能OTS。

童浩 · 文劲宇

Materials Horizons 2026

参数信息

开关速度

4 ns

技术优势

不会相分离

通过同步GeTe/Te亚周期比例与界面扩散动力学，实现了原子级均匀的非晶GeTe9薄膜，避免了传统ALD高Te材料中的相分离。

开关够快

OTS器件展示了4 ns的超快开关速度，满足高性能存储需求。

应用场景

• 3D相变存储：作为OTS选择器，抑制未选单元的漏电流，提升3D PCM阵列可靠性。
• 高密度存储阵列：高关态电阻确保高密度阵列中相邻单元互不干扰，实现低串扰。
• 硫系化合物薄膜：提供原子级均匀的非晶GeTe9薄膜，避免相分离，保证器件一致性。
• 原子层沉积工艺：亚周期协同调控为极端比例非化学计量材料的ALD合成提供了通用范式。