SiC基Pt薄膜RTD

800°C 长期稳定

通过Ta/Al₂O₃粘附层与YSZ保护层协同设计，解决了Pt薄膜在高温下的团聚和电阻漂移难题，实现SiC基底上超过800°C的可靠温度测量。

Fang, Ziyan · Fang, Xudong · Wu, Chen · 孙昊 · 张勇 · Zhang, Zhongkai · 田边 · Verma, Prateek · Maeda, Ryutaro

Microsystems and Nanoengineering 2026

参数信息

最高工作温度
855 °C
电阻漂移率（Ta粘附层，无保护层）
0.538 %/h
电阻漂移率（Al₂O₃粘附层，无保护层）
4.159 %/h
电阻漂移率（Ta粘附层+YSZ保护层）
0.291 %/h
电阻漂移率（Al₂O₃粘附层+YSZ保护层）
0.146 %/h
临界载荷Lc₂（Ta粘附层，退火前）
45.65 mN
临界载荷Lc₂（Ta粘附层，退火后）
11.96 mN
临界载荷Lc₂（Al₂O₃粘附层，退火前）
13.13 mN

技术优势

800 °C下电阻漂移率低至0.146 %/h

Al₂O₃粘附层加YSZ保护层的RTD在800 °C下漂移率最低，较未保护时降低96.5%。

工作温度达到~855 °C

Ta和Al₂O₃粘附层的Pt薄膜RTD在空气中测试，温度上限接近855 °C，仍保持良好线性。

YSZ保护层显著抑制漂移

加入YSZ保护层后，Ta粘附层RTD的漂移率从0.538 %/h降至0.291 %/h，Al₂O₃粘附层RTD从4.159 %/h降至0.146 %/h。

应用场景