高迁移率宽谱探测
通过控制硫化温度合成的大面积均匀 PdS₂ 薄膜,兼具高迁移率与宽带光响应,并兼容半导体后道工艺。
Kun, He · Xu, Weiting · Jingmei, Tang · Yuan, Lu · Yi, Chen · Li, Bailing · Hongzhou, Zhu · Hongmei, Zhang · Lin, Xiaohui · Feng, Ya · Manli, Zhu · Jingru, Shen · 钟绵增 · Li, Bo · 段曦东
Small 2023
光响应范围 450–1550 nm
合成温度 450–550°C,兼容半导体后道工艺
厘米级均匀化学计量比