辐照P(VDF-TrFE)铁电纳米结构

开关速度提升2000倍

通过电子束辐照剂量调控铁电畴结构，在同一纳米结构中集成电子束只写存储器和铁电随机存取存储器功能，用于非易失存储与加密。

陈迎鑫 · 聂仪晶 · Huigui, Fang · Yongshuang, Li · 张磊 · Chen, Xin · 张鉴 · Zhang, Xuefeng

Chemical Engineering Journal 2026

具体参数

畴开关速率提升倍数

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功耗降低倍数

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技术优势

开关速度提升2000倍

辐照诱导的弛豫铁电相降低了畴壁运动的势垒，使畴开关速率大幅提升。

功耗降低2倍

亚稳相中同时存在的弛豫铁电相降低了极化反转所需的电场，从而减少功耗。

一种结构，两种存储功能

同一铁电纳米结构既能作为电子束只写存储器被电子束写入，又能作为铁电随机存取存储器被外电场重写，而无需改变器件设计。

无需模板的纳米加工

采用无模板电子束光刻技术直接制备铁电纳米结构，避免了传统模板法带来的工艺复杂性和界面污染。

应用场景

• 非易失存储器：保存极化状态，断电后数据不丢失。
• 柔性电子器件：与柔性基底兼容，可集成到可穿戴设备。
• 存储器加密：辐照剂量即加密密钥，物理上防篡改。
• 铁电随机存取存储器：外电场直接读写，作为铁电随机存取存储器。