MoS2忆阻器

缺陷诱导导电丝

该忆阻器利用硫空位辅助金属原子形成半导电丝路径，其机制通过第一性原理计算和NEGF输运模拟揭示，为器件设计提供原子级参考。

Yifan, Zhang · 桑胜波 · Ge, Yang · 柴晓杰 · 刘彦

Applied Surface Science 2026

技术优势

双硫缺陷对导电细丝的影响更为显著

缺陷MoS2中迁移势垒更低的金属电极有助于提高忆阻器的开态电流