插层TMD晶体

自旋极化电子态

层间杂化与洪德耦合协同，塑造费米能附近复杂磁性与电子结构，为理解插层TMD低能物理提供关键范例。

Hong-Run, Zhen · Peng-Cheng, Ma · Yang, Huancheng · Fanyu, Meng · Tristant, Damien · 崔田 · 雷和畅 · Karna, Sunil K. · 卢仲毅 · Zhonghao, Liu

Communications Materials 2025

技术优势

费米能级出现V形态密度

半填充的eg轨道与Nb 4d轨道杂化，在费米能级处造成态密度凹陷，改变低能电子行为。

自旋极化增强且能带下移

自旋向下的3d态与Nb 4d态在约1 eV处杂化，导致Nb态下移并增强自旋极化。

应用场景

• 量子材料与拓扑物态：利用异常电子结构研究关联拓扑与磁有序竞争。
• 低维纳米材料：作为层状材料范德华异质结组件，调控界面磁性。
• 自旋电子学：利用强自旋极化能带结构设计自旋阀或自旋注入源。