过冲降四倍
在多芯片SiC MOSFET功率模块中集成分布式去耦电容，同时抑制关断电压过冲并实现并联芯片间的动态均流。
Zhang, Tongyu · Shuai, Xiong · Wang, Laili · Hongzhou, Gong · Zaojun, Ma · Wang, Yan · 裴云庆 · 杨旭
IEEE Transactions on Power Electronics 2025
通过集成分布式去耦电容，等效源阻抗匹配最低并联支路阻抗，从而抑制关断电压尖峰。
动态均流使得并联芯片电流不均衡度从超过60%降至约5%，各芯片结温更均匀，可靠性提升。
去耦电容直接集成在功率模块内部，不增加外部电路或封装尺寸。