5d过渡金属吸附WSSe单层

谷劈裂可调至227 meV

通过在Janus 2H-WSSe单层上吸附不同的5d过渡金属原子，可同时实现对谷劈裂和磁各向异性的有效调控，为自旋电子学和谷电子学器件提供了新的候选材料。

Huifang, Wu · Xiaosong, Zhao · Zefang, Li · 安玉凯

Journal of Alloys and Compounds 2025

具体参数

valley splitting within

{'zh': '', 'en': '227'} meV

最大谷劈裂

{'zh': '227', 'en': ''} meV