p-GaN栅HEMT

抗辐照退化

针对总剂量辐照诱导的漏电退化，提出栅注入与栅漏电容测试方法，可量化空穴俘获密度。

Xin, Zhou · Wang, Chang · Huan, Gao · Wang, Zhao · Zhonghua, Wu · Yu, Wang · 周琦 · 张波

IEEE Transactions on Nuclear Science 2026

参数信息

器件额定电压

650 V

辐照剂量率

70 rad(Si)/s

技术优势

定位损伤

通过多种测试确认辐照损伤位于栅下AlGaN/GaN界面，而不是其他区域。

量化陷阱

提出栅注入测试和栅漏电容测试方法，能够测量被俘获空穴的密度。

应用场景

• 功率转换：作为耐辐照功率开关，用于电源变换器，避免辐照漏电失效。
• 功率半导体：提供p-GaN栅HEMT辐照退化数据，辅助抗辐照器件设计。
• 辐射环境电子系统：用于辐射环境电子系统中功率器件的可靠性评估与加固。