PffBT4T-2DT/PS共混膜

低含量高迁移率

通过OTS表面修饰诱导半导体在介电层界面富集和edge-on取向,在低至5-10 wt%的半导体含量下实现高效的载流子传输路径。

Yuming, Fei · Zhou, Han · Zhiqiang, Ai · 张发培

Organic Electronics 2023

具体参数

OTS-modified SiO dielectric
2 orders
半导体含量从
30 wt%
at semiconductor content
10 wt%