三阶段GaN栅极驱动器

开关损耗降36.4%

通过实时追踪米勒平台电压并抑制电压拖尾,自适应优化三阶段驱动电流时序,在动态工况下最大程度降低开关损耗。

Shuo, Zhang · 闵闰 · 张德胜 · Haoran, Xu · Liu, Chang · Qingyue, Zhou · 童乔凌 · 邹雪城

IEEE Journal of Solid-State Circuits 2025

参数信息

总开关损耗降低
36.4 %
慢dV/dt启动损耗降低
46.1 %
电压拖尾损耗降低
88.7 %
峰值dV/dt
45 V/ns

技术优势

开关损耗降36.4%

通过近似恒定的dV/dt,在给定峰值dV/dt约束下实现最小开关损耗。

动态工况下自适应

实时追踪米勒平台电压并抑制电压拖尾,动态确定三阶段驱动电流的最优切换时刻,减少慢启动和拖尾损耗。

慢启动损耗降46.1%

相比传统栅极驱动器,慢dV/dt启动阶段的损耗减少46.1%。

电压拖尾损耗降88.7%

快速电压拖尾抑制技术几乎消除了拖尾损耗。

应用场景