同位素掺杂分子半导体

高温稳定 900 皮瓦逻辑

通过单氟化衍生物同构掺杂，在超薄高结晶有机半导体中实现高迁移率与可控阈值电压，使晶体管在宽温度范围内保持稳定，逆变器兼具高增益与超低静态功耗。

Shi, Yi · 李昀 · Li Yun

ACS Nano 2026

参数信息

逆变器增益

55 V V⁻¹

静态功耗

900 pW

技术优势

保持结晶有序

利用单氟化衍生物掺杂剂与主体分子的同构特性，促进混溶性，在提高空穴密度的同时不破坏超薄膜的分子堆积。

宽温域稳定工作

制备的晶体管在宽温度范围内性能稳定，并具有长时间的工作稳定性，适合在变化的环境温度下使用。

超低静态功耗

基于掺杂薄膜的逆变器静态功耗仅为900 pW，同时实现55 V V⁻¹的高增益，适合低功耗逻辑电路。

应用场景

• 柔性有机晶体管：同构掺杂保持超薄有机半导体结晶度，适合柔性基底上的高性能晶体管阵列。
• 低功耗逻辑电路：900 pW的静态功耗和高增益使逆变器可用于超低功耗逻辑电路。
• 可穿戴电子电源：温度免疫和低功耗特性使器件适合体温波动环境下的可穿戴电子设备。
• 柔性显示背板：掺杂薄膜晶体管高迁移率和稳定性可用于柔性显示背板的驱动电路。