大电流低过电位
通过S和Cr共掺杂调控电子结构，优化OER中间体吸附能，在100 mA cm⁻²下过电位仅235 mV，性能优于商用RuO₂。
穆建帅 · Aizhu, Peng · Xinran, Wang · Jin, Wang · Zengjiao, Hong · Danna, Guo · 类淑来 · 王家军 · 杨恩翠
ACS Applied Nano Materials 2024
S、Cr共掺杂优化了对OER中间体的吸附能，促进决速步*O→*OOH，从而在100 mA cm⁻²下过电位仅235 mV。
在100 mA cm⁻²下连续运行70小时，过电位仅增加4 mV，衰减几乎可以忽略。
其OER过电位明显低于商用RuO₂，证明掺杂策略可取代贵金属催化剂。
S、Cr共掺杂调控形成超薄纳米片阵列，提供丰富活性位点并促进传质。