Cr掺杂CsPb₂Br₅单晶

70°C抑离子迁移

通过铬离子掺杂造成晶格收缩与畸变，从根源上抑制了钙钛矿中由热应力引发的离子迁移，使器件即便持续工作在高温环境中也能稳住暗电流与灵敏度。

Xiaolong, Feng · Zhang, Lu · Xiaofeng, Feng · 游家学 · Pi, Jiacheng · Hanqing, Zeng · Chu, Depeng · Chengzhi, Xue · Zhao, Ke · Shilong, Jia · Pengda, Tong · 靳志文 · 刘渝城 · Alex K. Y., Jen · Liu, Shengzhong Frank

ACS Energy Letters 2025

参数信息

μτ值

5.46 × 10^-3 cm² V⁻¹

电阻温度系数

−1.58 × 10^-2 °C⁻¹

灵敏度

7183.5 μC Gy_air⁻¹ cm⁻²

最低检测剂量率

11.5 nGy_air s⁻¹

技术优势

抑制离子迁移

Cr³⁺掺杂引起晶格收缩和畸变，提高了Br空位形成能和离子迁移活化能，因此在70 °C下仍能保持低暗电流和稳定性能。

检测限低

最低检测剂量率仅为11.5 nGy_air s⁻¹，能够在极低辐射剂量下工作，减少对样品或人体的辐射损伤。

应用场景

• X射线成像：高温下仍能稳定成像，可用于工业探伤或高温环境实时监测。
• 光电探测材料：高μτ值与低检测限使其适合极弱X射线信号的探测。
• 航空航天传感器：在高温与复杂环境下性能稳定，满足航空航天对器件可靠性的要求。