矫顽力高31%
采用单主相工艺制备的磁体,其自发形成的核壳结构对退磁过程的抑制优于多主相工艺的扩散型核壳结构,为含钇磁体的结构设计提供了新思路。
Fan, Sining · Ronghuan, Xie · Qiye, Li · Zifan, Liu · Fan, Xiaodong · 丁广飞 · 曹帅 · Zheng, Bo · 郭帅 · 陈仁杰 · 闫阿 · 唐少龙
Materials and Design 2025
单主相磁体中的核壳结构对退磁过程的抑制作用更强,使矫顽力比多主相磁体提高31%。
单主相磁体的自发核壳结构能够延缓磁畴在较低外场下的反转,从而提升磁体整体抗退磁能力。