瑞利波耦合提升至3.1%
通过载流子浓度调控，显著增强压电半导体中瑞利波的机电耦合效率，为高性能声学器件提供关键材料基础。
Ben Salah, Issam · Othmani, Cherif · Njeh, Anouar · Takali, Farid · Demir, İlkay · 张博
Thin-Walled Structures 2025
在压电半导体薄膜/弹性基底结构中首次计算瑞利波机电耦合系数，填补文献空白。
K²对p型掺杂浓度高度敏感，在p0=10^21 m^-3时达到最大值3.1%，为器件优化提供了直接调控手段。
减小压电半导体薄膜厚度可显著提升K²，有利于器件小型化和性能增强。