氧调Fe3GeTe2纳米片

双磁滞回线四阻态

由环境氧化产生的双层耦合结构，使Fe3GeTe2纳米片呈现独特的双方形磁滞回线，支持四个电阻态。

赵睿杰 · Weifeng, Xu · 吴燕飞 · 刘欣洁 · 张泽玉 · Zhu, Mengyuan · Liyuan, Zhang · Shen, Jianxin · Shen, Shipeng · Huang, He · 张静言 · 郑新奇 · Wang, Shouguo

ACS Applied Nano Materials 2023

参数信息

电阻态

4

技术优势

氧化诱导多阻态

氧化的Fe3GeTe2纳米片中出现双方形磁滞回线，提供四个电阻平台，可用于信息存储或传感。

室温潜力

Fe3GeTe2具有相对较高的居里温度，有望在室温下实现功能器件。

自旋电子应用

四个电阻平台可作为一种信息存储或传感的介质，在下一代自旋电子器件中具有潜在应用。

应用场景

• 自旋电子器件：用于构建基于多阻态的自旋电子逻辑或存储器件。
• 多态信息存储：利用四个电阻平台实现多态存储，提高单个单元的存储密度。
• 磁传感：基于多个电阻态对外磁场响应实现高灵敏度传感。