Ag₂O/CsPbBr₃体异质结

接触电阻骤降

在CsPbBr₃单晶薄膜内部原位生成Ag₂O团簇作为电子受主，局部p型掺杂将金属接触电阻降至欧姆水平，无需外源掺杂剂。

Wang, Laiyuan · Qian, Qi · Wang, Peiqi · Zhang, Ao · Wan, Zhong · Dehui, Zhang · Shuanghao, Zheng · Zhang Ao · Zhou, Jingxuan · Wang, Yiliu · Huang, Yu D. · Duan, Xiangfeng

Nature Materials 2026

具体参数

局部空穴密度

{'zh': '5×10¹⁷', 'en': '5×10¹⁷'} cm⁻³

接触电阻

{'zh': '26–70', 'en': '26–70'} Ω·cm

两端薄层电导

{'zh': '225', 'en': '225'} µS

技术优势

接触电阻骤降

Ag₂O团簇作为界面电子受主引发局部p型掺杂，使接触电阻降至26–70 Ω·cm，相比未掺杂钙钛矿降低一个数量级以上。

无需外源掺杂

通过银扩散和原位氧化形成Ag₂O，避免使用外部掺杂剂，保持钙钛矿本征性质。

低温工艺兼容

80–180 °C退火即可完成掺杂，与柔性基底和温度敏感器件兼容。

欧姆接触实现

肖特基势垒显著减薄，金属-半导体界面接近欧姆接触，有利于高效载流子注入。

应用场景

• 钙钛矿光电探测器：降低接触电阻，提升光电探测器响应速度和灵敏度。
• 钙钛矿LED：实现高效空穴注入，提高LED外量子效率。
• 钙钛矿太阳能电池：优化载流子提取，减少串联电阻损耗。
• 柔性钙钛矿器件：低温工艺与柔性基底兼容，实现高性能柔性器件。