TNSs@PDA介电填料

超低加载率

多巴胺修饰的二氧化钛纳米片，以0.2 wt%超低加载率提高聚合物介电常数并降低损耗，缓解介电常数与击穿强度的负耦合效应。

ZiXuan, Chen · Linwei, Zhu · Chuanchuan, Wang · 燕克兰 · 史志成 · 范润华 · 暴宁钟

Journal of Energy Storage 2025

具体参数

介电常数

{'zh': '11.94', 'en': '11.94'}

介电损耗

{'zh': '0.038', 'en': '0.038'}

击穿强度

{'zh': '599.3', 'en': '599.3'} kV/mm

放电能量密度

{'zh': '9.97', 'en': '9.97'} J/cm3

能量存储效率

{'zh': '82', 'en': '82'} %

介电损耗

{'zh': '0.025', 'en': '0.025'}

技术优势

超低加载率

只需0.2 wt%的填料即可显著提高介电常数，避免高填充量带来的加工难题和机械性能下降。

介电损耗降低

在提高介电常数的同时，将介电损耗降至0.025（三明治结构），减少能量耗散。

高效储能

能量存储效率达82%，表明充放电过程中能量损失小，适合实际应用。

应用场景

• 薄膜电容器：薄膜电容器可用此复合膜提高储能密度和效率。
• 柔性介电储能：柔性介电储能器件可用此材料实现高能量密度和低损耗。
• 高储能聚合物电介质：高储能聚合物电介质领域可用此填料提升介电性能。
• 脉冲功率系统：脉冲功率系统需要高功率密度电容器，此材料可提供解决方案。