高频低损耗
通过氧空位介导的界面反应形成SiO₂/MnO复合绝缘层,同时实现高磁导率与低磁损耗。
Huang, Huaqin · Li, Liu · Bo, Feng · Yang, Liu · 张晖 · 黄贞益 · Wu, Zhaoyang
Applied Surface Science 2025
SiO₂/MnO复合绝缘层提高了电阻率,有效抑制高频涡流损耗,总磁芯损耗从721.7 kW/m³降至126.8 kW/m³。
复合绝缘层使电阻率达到268.7 Ω·cm,远高于未包覆的FeSiCr,从而大幅降低高频下的涡流损耗。
在获得高电阻率和低损耗的同时,有效磁导率仍达34.1,满足高频应用的磁导率需求。