多晶硅/碳化硅异质结隧道晶体管

导通电阻仅1.56 mΩ·cm²

一种基于多晶硅与4H-SiC异质结的功率隧道晶体管，其寄生体二极管具有单极续流能力，可避免双极退化问题，为替代传统SiC功率MOSFET提供可能。

Fu, Hao · Wei, Jiaxing · Wei, Zhaoxiang · Li, Sheng · Zhang, Long · 柏松 · 黄润华 · 杨晓磊 · Liu, Siyang · Sun, Weifeng

IEEE Transactions on Electron Devices 2023

参数信息

击穿电压

1460 V

异质结势垒高度

0.7 eV

技术优势

开关更快

隧穿输运机制使器件具有更小的栅极电荷和电容，有利于高频工作。

耐压够高

P区承担雪崩击穿并有效屏蔽栅沟槽和异质结界面处的电场，保证了1460 V的击穿电压。

应用场景

• 功率器件：替代SiC MOSFET，降低导通和开关损耗。
• 电源管理：在电源转换器中实现更高效率。
• 无人机动力系统：减轻重量，延长续航。