单晶金刚石晶圆

粗糙度达5.68nm

采用电感耦合等离子体刻蚀工艺抛光的单晶金刚石表面，比起传统机械抛光更适合硬脆材料的全局平坦化。

Jiangjun, Zhou · Wang, Jiahuan · Xiaoqiang, Chen · 王旭 · Jinhu, Wang · Zhuo-hao, Dai · 袁巨龙

Diamond and Related Materials 2026

参数信息

表面粗糙度

5.68 nm

材料去除率

24.65 μm/min

技术优势

粗糙度降到5.68 nm

在射频功率800 W、刻蚀4 min、氧气浓度2.6%的条件下，表面粗糙度Ra达到5.68 nm，满足光学级表面要求。

去除率高

材料去除率达到24.65 μm/min，显著高于传统机械抛光，适合批量处理。

表面无损伤

ICP刻蚀后的金刚石表面仅有一层很薄的非晶层和吸附终止层，没有机械加工引入的亚表面裂纹。

应用场景

• 金刚石功率器件衬底：提供无亚表面损伤的平整表面，提升器件散热和耐压可靠性。
• 超精密加工：替代传统研磨抛光，对高硬脆材料实现无损全局平坦化。
• 金刚石光学窗口：直接获得低粗糙度、低散射的光学表面，免去二次抛光。
• 极端环境传感器：提供化学惰性、无损伤的传感窗口，适应高温高压环境。