铈修饰钴氧化物异质结纳米线

通过原位形成三相异质结显著提升比容量和倍率性能,解决了钴氧化物导电性差和比表面积低的问题。

Zhipeng, Lin · Zhengfa, Zheng · Kaiwen, Bao · Qiji, Jing · Wei, Geng · Cullen, Patrick L. · 张诚

Journal of Power Sources 2026

具体参数

比容量
{'zh': '1089.3', 'en': '1089.3'} C g⁻¹
比容量
{'zh': '722.4', 'en': '722.4'} C g⁻¹
能量密度
{'zh': '33.0', 'en': '33.0'} Wh kg⁻¹
电容保持率
{'zh': '100.3', 'en': '100.3'} %

技术优势

容量飙升

三相异质结引入大量活性位点,显著增强法拉第氧化还原反应,比容量大幅提升至1089.3 C g⁻¹。

倍率不跳水

即使在40 A g⁻¹的高电流密度下,仍保持722.4 C g⁻¹,容量保持率优异,说明材料具有出色的快速充放电能力。

循环不掉量

组装成混合超级电容器后,3000次循环电容保持率高达100.3%,几乎无衰减,远超常规材料。

应用场景