铈修饰钴氧化物异质结纳米线
通过原位形成三相异质结显著提升比容量和倍率性能,解决了钴氧化物导电性差和比表面积低的问题。
Zhipeng, Lin · Zhengfa, Zheng · Kaiwen, Bao · Qiji, Jing · Wei, Geng · Cullen, Patrick L. · 张诚
Journal of Power Sources 2026
具体参数
- 比容量
- {'zh': '1089.3', 'en': '1089.3'} C g⁻¹
- 比容量
- {'zh': '722.4', 'en': '722.4'} C g⁻¹
- 能量密度
- {'zh': '33.0', 'en': '33.0'} Wh kg⁻¹
- 电容保持率
- {'zh': '100.3', 'en': '100.3'} %
技术优势
容量飙升
三相异质结引入大量活性位点,显著增强法拉第氧化还原反应,比容量大幅提升至1089.3 C g⁻¹。
倍率不跳水
即使在40 A g⁻¹的高电流密度下,仍保持722.4 C g⁻¹,容量保持率优异,说明材料具有出色的快速充放电能力。
循环不掉量
组装成混合超级电容器后,3000次循环电容保持率高达100.3%,几乎无衰减,远超常规材料。
应用场景
- 超级电容器电极材料:作为正极活性材料,提供超高比容量和倍率性能。
- 高性能赝电容材料:利用异质结增强法拉第反应,实现高能量密度赝电容存储。
- 柔性储能器件:纳米线结构可构建柔性电极,用于可弯曲储能器件。
- 混合电容器:与碳负极配对,构建高能量密度混合型超级电容器。
- 可穿戴电子:提供轻量、高功率储能单元,驱动可穿戴设备。