SiN/LN异质集成电光调制器

低损耗高带宽调制

在氮化硅平台上实现铌酸锂电光调制，解决氮化硅无源平台缺乏高速有源器件的问题。

Ruan, Ziliang · 陈楷旋 · Wang, Zong · Fan, Xuancong · Gan, Ranfeng · Lu, Qi · 谢意维 · Changjian, Guo · Zhonghua, Yang · Naidi, Cui · Zhang Gong

Laser and Photonics Reviews 2023

参数信息

模式转换损耗
0.4 dB
半波电压
4.3 V
调制带宽
37 GHz
插入损耗
1 dB
数据传输速率
128 Gb/s

技术优势

传输损耗极低

SiN与LN波导之间的耦合结构实测模式转换损耗仅0.4 dB，几乎不引入额外损耗。

带宽足够高

调制带宽达37 GHz，满足高速数据通信需求，可实现128 Gb/s传输。

驱动电压低

半波电压仅4.3 V，降低了对驱动电路的要求，有利于系统集成和功耗控制。

应用场景