中空有序SnO₂@C纳米棒阵列

储钠2000圈稳

这种纳米棒阵列通过晶格匹配外延生长,把中空、碳包覆和有序组装集于一身,同步解决钠电负极的体积膨胀和导电性差问题。

Zhang, Xinyu · Kang, Qiaoling · Su, Mengfei · Song, Chuang · Gao F. · 陆轻铱

Small 2024

参数信息

循环比容量
355.4 mAh·g⁻¹
倍率比容量
385.6 mAh·g⁻¹

技术优势

循环稳定

Te-SnO₂@C在1.0 A·g⁻¹下循环2000次后仍保持355.4 mAh·g⁻¹,证明中空结构和碳包覆有效抑制了体积膨胀。

高倍率表现

Te-SnO₂@C在2.0 A·g⁻¹的高电流密度下仍能提供385.6 mAh·g⁻¹的容量,说明有序组装和碳层改善了电子传输。

结构多样可控

利用不同晶面取向的α-Fe₂O₃模板,可构建圆盘、六面体、十二面体和十四面体四种中空有序阵列,为探索结构与性能关系提供平台。

应用场景