高居里温度VTe₂单层

室温以上铁磁性

通过载流子掺杂可实现半导体到半金属转变，并获得100%自旋极化，磁各向异性能高达1855.62 μeV，居里温度可提升至574 K。

Zhang, Shuaikang · Yan-Ling, Wu · 曾召益 · Geng, Hua Y. · 陈向荣

Physical Chemistry Chemical Physics 2025

具体参数

空穴掺杂

1.825 × 10¹³ cm⁻²

磁晶各向异性能高

1855.62 μeV

载流子掺杂实现

100 %

技术优势

居里温度547 K（无尺寸效应）