低温PECVD氮化硅薄膜

沉积速率翻倍

通过NH3前驱体实现200°C以下高均匀性氮化硅薄膜，解决低温沉积速率与均匀性瓶颈。

Zhen, Tang · Yu, Peng · 任朝晖

Materials 2026

参数信息

沉积速率

39.1 Å/s

厚度均匀性提升

1.07 %

技术优势

速率翻倍

2.1 Torr下NH3易解离产生高活性自由基，加速反应动力学，使沉积速率从18.2 Å/s提升至39.1 Å/s。

均匀性更高

NH3引入后厚度均匀性提升1.07%，有助于大尺寸晶圆成膜一致性。

更优薄膜品质

NH3提供丰富的高反应活性自由基，提升折射率并增强压应力，满足器件对膜质的严格要求。

耐压工艺窗口

薄膜性能对压力的敏感度高于温度，低腔压下自由基碰撞自由程最大，为量产提供可量化窗口。

应用场景

• 低温钝化层：在低于200°C下沉积高质量SiNx钝化层，保护敏感器件结构。
• 先进封装：为先进封装中的低温介质层提供高均匀性成膜方案。
• 微纳制造：在微纳制造中实现低温下快速、均匀的氮化硅沉积。
• 半导体工艺：为半导体工艺提供可量化的低温氮化硅沉积窗口。