三层SnS/h-BN/SnS₂异质结探测器

自供电性能超越商用

通过在SnS和SnS₂之间插入h-BN层，该异质结在405 nm近紫外光下实现自供电工作，暗电流低至1.2 pA，探测率远超同类2D材料器件。

Mengjiao, Dong · Shiao, Feng · Xiyu, Jia · Xueting, Luo · 孙春 · 张勇辉 · 范超

IEEE Photonics Technology Letters 2026

具体参数

响应度

{'zh': '1.8', 'en': '1.8'} A/W

探测率

{'zh': '1.51×10¹²', 'en': '1.51×10¹²'} Jones

暗电流

{'zh': '1.2', 'en': '1.2'} pA

技术优势

超越商用

自供电下的探测率（1.51×10¹² Jones）和响应度（1.8 A/W）全面优于商用 Thorlabs FDS100 探测器。

暗电流极低

暗电流降至 1.2 pA，有利于极弱光探测。

应用场景

• 近紫外传感：用自供电异质结替代传统NUV探测器，无需偏压直接输出信号。
• 弱光探测：pA级暗电流和10¹² Jones探测率使其能分辨极弱紫外光子。
• 片上光谱仪：自供电小型化单元可直接集成到片上光谱分析阵列中。
• 环境监测：在无需外部供电的终端检测紫外辐射强度，实时监测环境。