掺钽铌酸镁陶瓷

微波介电损耗骤降

通过Ta5+掺杂稳定晶体结构并抑制氧空位导电损耗，Q×f值较纯MgNb2O6提升近40%，介电常数19.2且温度系数稳定，适用于5G/6G微波器件。

李玲霞 · Li, Yuting · Qiao, Jianli · Du, Mingkun

Journal of Materials Science and Technology 2023

具体参数

品质因数×谐振频率

{'zh': '170000', 'en': '170000'} GHz

温度系数

{'zh': '-55.6', 'en': '-55.6'} ppm °C⁻¹

技术优势

损耗大幅降低

Ta5+掺杂使Q×f达到170,000 GHz，相比纯MgNb2O6提升近40%。

晶体结构更稳定

较低的内应变、更小的有序畴尺寸以及更接近离子价态的化学键价，共同促进晶体结构稳定性。

抑制氧空位导电损耗

低电负性离子的引入增强电子补偿氧空位的能力，减少由电导导致的介电损耗。

应用场景

• 5G/6G微波介质器件：高Q×f补偿高频信号衰减，用于设计5G/6G无源器件。
• 微波谐振器：高Q×f降低谐振器损耗，提高频率选择性。
• 高频滤波器：低损耗陶瓷使滤波器带内损耗更小、边带更陡。