表面氧化SiC粉体

DLP可打印

高温短时氧化在SiC粉体表面形成纳米氧化物膜，降低紫外吸收率与折射率，使浆料固化深度显著增加，从而无需烧结助剂即可通过DLP制备SiC陶瓷。

Shi, Zhang Ao · 吴甲民 · Zhi-Qiang, Fang · 史玉升

Journal of Advanced Ceramics 2023

具体参数

curing depth increases

4 μm

Flexural strength reaches

2.3 MPa after

技术优势

紫外吸收率从0.5065降至0.4654（1300 ℃氧化）